Der905 nm 15 W Hochleistungs-IR-Laserdiodeist ein fortschrittlicher Halbleiterlaser, der die laminierte Tunnelübergangstechnologie und Metallgehäuse nutzt. Es kann eine Impulsleistung von 15 W/25 W/50 W/75 W/100 W erreichen und seine Betriebsimpulsbreite kann zwischen 1-100ns liegen. Einstellbar, verschiedene Lichtquellengrößen.

Technische Daten der 905 nm 15 W Hochleistungs-IR-Laserdiode:
| Parameter | Symbol | Einheit | Typischer numerischer Wert |
| Optischer Parameter (@25 Grad) | |||
| zentrale Wellenlänge | λ | Nm | 905 |
| Toleranz | λo | nm | ± 10 |
| spektrale Breite | △λ | Nm | Kleiner oder gleich 5 |
| Arbeitsmodus | Gepulst | ||
| Leistung | Po | W | 15 |
| leuchtende Größe | L | μm∙ μm | 40*10 |
| Strahldivergenzwinkel | θ⊥ | Grad | Kleiner oder gleich 30 |
| θ∥ | Grad | Kleiner oder gleich 10 | |
| Strahlrichtung | θ | Grad | Kleiner oder gleich ±1,5 |
| Elektrische Eigenschaften (@25 Grad) | |||
| Schwellenstrom | Ith | A | 1 |
| Arbeitsstrom | Iop | A | 7 |
| Betriebsspannung | Vop | V | 15 |
| Arbeitsimpulsbreite | t | Ns | 100 |
| Wiederholungsfrequenz | f | Khz | 5 |
| Auslastungsgrad | D | - | 0.05% |
| Thermisches Eigentum | |||
| Arbeitstemp | Tc | ºC | -40~70 |
| Lagertemperatur | Tstg | ºC | -40~85 |
| Wellenlängen-Temperaturkoeffizient | -- | nm/ºC | 0.28 |
| Schweißtemperatur | Ts | ºC | 260 |
Notiz:
[1] Die Definition von θ⊥ und θ∥ ist der Winkel des 50 %-Spitzenwerts.
[2] Alle Testdaten basieren auf 25 Grad. Die Lebensdauer wird beeinflusst, wenn die Arbeitstemperatur über der Temperatur liegt.
905-nm-15-W-Hochleistungslaserdioden werden aufgrund ihrer einzigartigen Leistungsmerkmale in vielen Bereichen eingesetzt, beispielsweise in der medizinischen Kosmetik, dermatologischen Behandlung, Augenchirurgie, industriellen Steuerungen, intelligenten Fertigungs- und Kommunikationsindustrien. Im medizinischen Bereich kann es beispielsweise für medizinische Kosmetik, dermatologische Behandlung und Augenchirurgie eingesetzt werden. Darüber hinaus spielt es auch eine wichtige Rolle in der Industriesteuerung, der intelligenten Fertigung und der Kommunikationsindustrie.
Besonders hervorzuheben ist, dass der 905-nm-Halbleiterlaser zur Hauptlichtquelle von Lidar geworden ist. Dies ist hauptsächlich auf die geringe Absorption von Wasserdampf in der Luft für Laserlicht in der Nähe des 905-nm-Bandes zurückzuführen, wodurch es bei Lidar-Anwendungen äußerst empfindlich und stabil ist. Gleichzeitig ist die 905-nm-Wellenlänge mit dem ausgereiften 1550-nm-Glasfaserkommunikationssystem kompatibel und wird daher auch häufig im Bereich der Glasfaserkommunikation eingesetzt.
Die Entwicklung von 905-nm-15-W-Hochleistungslaserdioden steht vor mehreren technischen Herausforderungen. Erstens ist die Kontrolle der Laserkosten ein wichtiger Faktor. Die Senkung der Produktionskosten und die Verbesserung der Produktionseffizienz sind der Schlüssel zur Erzielung einer hohen Leistungsabgabe bei gleichzeitiger Gewährleistung der Wettbewerbsfähigkeit der Produkte. Zweitens ist auch die Optimierung der Eigenschaften der 905-nm-Wellenlänge eine große Herausforderung. Beispielsweise geht es darum, die Oberflächentoleranz optischer Wellenleitergeräte zu verringern, um die Laserleistung und -stabilität zu verbessern. Darüber hinaus ist es auch ein technisches Problem, eine höhere Lichtleistung und einen größeren Erfassungsabstand zu erreichen und gleichzeitig die Sicherheit des menschlichen Auges zu gewährleisten. Obwohl man der Ansicht ist, dass nur ein Lidar mit einer Wellenlänge von 1550 nm eine ausreichende Detektionsreichweite erreichen kann, haben Laserdioden mit einer Wellenlänge von 905 nm aufgrund ihrer Eigenschaften in bestimmten Anwendungen immer noch ihre Vorteile. Schließlich ist es auch ein technisches Problem, das gelöst werden muss, wie die Anzahl der Laserradare und Laser mit unterschiedlichen Linienzahlen genau angepasst werden kann, um den Anforderungen verschiedener Anwendungsszenarien gerecht zu werden. Die Forschung und Entwicklung von 905-nm-15-W-Hochleistungslaserdioden erfordert umfassende Überlegungen und Optimierungen im Hinblick auf Kosten, Leistung, Sicherheit und andere Aspekte, um eine hervorragende Produktleistung und Marktwettbewerbsfähigkeit zu erreichen.
So verbessern Sie die Leistung und Zuverlässigkeit von Laserdioden
1. Materialien optimieren: Durch die Verwendung von GaAsP mit einer großen Bandlücke zur Unterdrückung des Austretens von Ladungsträgern im aktiven Bereich kann die Leistung des Geräts erheblich verbessert werden. Untersuchungen zeigen beispielsweise, dass nach der Einführung von GaAsP die charakteristische Temperatur des Geräts von ursprünglich 150K auf 197,37 K (-75,76 Grad) und der Driftkoeffizient des Peaks ansteigt Die Wellenlänge mit der Temperatur beträgt 0,207 nm/Grad. Darüber hinaus wurden 905-nm-VCSEL-Geräte mit unterschiedlichen Oxidationsporengrößen erfolgreich hergestellt, mit einem maximalen Steigungswirkungsgrad von 1,12 W/A und einem maximalen Umwandlungswirkungsgrad von 44,8 %. Dieses 905-nm-VCSEL-Gerät mit hoher Leistungsumwandlungseffizienz bietet eine gute Grundlage für die Miniaturisierung und Kostenreduzierung von Lidar.
2. Verbessertes Design: Durch die Optimierung der laminierten Tunnelverbindungstechnologie und der Metallverpackung in Kombination mit der epitaktischen Wachstumstechnologie MOCVD mit Gradientenfunktion und variabler Temperatur und Geschwindigkeit können epitaktische Wafer mit hoher Leistung, hoher Wiederholbarkeit und hoher Gleichmäßigkeit erhalten werden, wodurch die Effizienz erheblich verbessert wird Halbleiterlaser mit Ausgangsleistung.
3. Verbesserung der Prozesstechnologie: Der Einsatz der Multi-Junction-Kaskadentechnologie kann nicht nur die Leistungsumwandlungseffizienz von VCSEL-Geräten verbessern, sondern auch den Betriebsstrom von Multi-Junction-VCSELs reduzieren, wodurch der Stromverbrauch und die Kosten der Antriebsschaltung gesenkt werden. bei gleichzeitiger Spannungs- und Stromkompromissoptimierung zur Verbesserung der Treiberschaltungskompatibilität.
Die oben genannten Methoden müssen in praktischen Anwendungen umfassend berücksichtigt werden, um die Leistung und Zuverlässigkeit von 905-nm-15-W-Laserdioden zu verbessern.
905-nm-15-W-Hochleistungslaserdioden haben breite Anwendungsaussichten in den Bereichen Medizin, Kommunikation und Militär.
Im medizinischen Bereich können Laserdioden mit einer Wellenlänge von 905 nm aufgrund ihrer geringeren Wasserdampfabsorption bei Augenoperationen wie Kataraktoperationen und Netzhautoperationen eingesetzt werden. Darüber hinaus trägt die schmale Beleuchtungsbreite dazu bei, den Erkennungsabstand zu vergrößern und die Erfassungsgenauigkeit zu verbessern, was für präzise Augenoperationen sehr wichtig ist.
Im Bereich der Kommunikation werden Halbleiterlaser mit einer Wellenlänge von 905 nm auch häufig im Bereich der Glasfaserkommunikation eingesetzt, da sie mit dem bestehenden Glasfaserkommunikationssystem mit 1550 nm kompatibel sind. Gleichzeitig kann das Gerät eine höhere Impulsspitzenleistung erreichen und so die Geschwindigkeit und Effizienz der Datenübertragung verbessern.
Im militärischen Bereich können 905-nm-15-W-Hochleistungslaserdioden in der Laserentfernungsmessung, Lasererkennung, Lidar und anderen Bereichen eingesetzt werden. Insbesondere trägt seine schmale Leuchtweite dazu bei, den Erkennungsabstand zu vergrößern und die Erfassungsgenauigkeit zu verbessern, was besonders wichtig für Anwendungen ist, die eine präzise Abstandsmessung erfordern, wie etwa autonome Fahrzeuge und Robotik. Darüber hinaus bereiteten Forscher des Instituts für Mikroelektronik der Chinesischen Akademie der Wissenschaften einen hochleistungsdichten 5--Übergangskaskaden-Oberflächenemissionslaser (VCSEL) mit vertikaler Kavität und einer Wellenlänge von 905 nm vor. Sein Leistungsumwandlungswirkungsgrad liegt bei bis zu 55,2 % und sein maximaler Steigungswirkungsgrad beträgt etwa 5,4 W/A. Er ist fünfmal so hoch wie der von Single-Junction-VCSEL mit derselben Apertur. Dieser Durchbruch bietet die Möglichkeit für die Popularisierung von High-End-Geräten wie Lidar.
Das Aufkommen von 905-nm-15-W-Hochleistungslaserdioden hatte tiefgreifende Auswirkungen auf die damit verbundenen Industrieketten. Erstens fördert es die Entwicklung und Innovation von Halbleiterlasern. Der Einsatz von 905-nm-15-W-Hochleistungslaserdioden hat auch die Entwicklung verwandter Bereiche vorangetrieben. Im medizinischen Bereich trägt die schmale Leuchtweite beispielsweise dazu bei, den Erkennungsabstand zu vergrößern und die Erfassungsgenauigkeit zu verbessern, was für präzise Augenoperationen wichtig ist. Darüber hinaus wird erwartet, dass seine Anwendung im Kommunikationsbereich auch die Geschwindigkeit und Effizienz der Datenübertragung verbessern wird.
Schließlich wird der Aufstieg der 905-nm-15-W-Hochleistungslaserdioden auch die gesamte Industriekette umgestalten. Mit dem Aufstieg der heimischen Industriekette und der Anpassung des gesamten technischen Weges der Branche wird erwartet, dass Produkte wie 905-nm-VCSEL-Laserchips Durchbrüche auf dem Markt erzielen. Es ist jedoch zu beachten, dass die Wahl der Lichtquelle nicht nur von Leistung und Kosten abhängt, sondern auch von Faktoren wie der Reife der Industriekette und der Sicherheit des menschlichen Auges. Daher wird die Frage, wie die Produktleistung verbessert, die Kosten gesenkt und gleichzeitig die Sicherheit gewährleistet werden kann, ein wichtiges Thema in der zukünftigen Entwicklung der Industriekette sein.
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